Nexperia が先行リリース

ナイメーヘン、2023 年 4 月 20 日: 必須半導体の専門家である Nexperia は本日、超高性能、低損失、高効率を必要とする電力アプリケーション向けに設計された 650 V 炭化ケイ素 (SiC) ショットキー ダイオードを発表しました。 10 A、650 V SiC ショットキー ダイオードは、要求の高い高電圧および高電流アプリケーションの課題に対処する工業グレードの部品です。 これらには、スイッチモード電源、AC-DC および DC-DC コンバータ、バッテリ充電インフラストラクチャ、無停電電源装置、太陽光発電インバータが含まれており、より持続可能な運用が可能になります。 たとえば、Nexperia の PSC1065K SiC ショットキー ダイオードを使用して設計された電源を備えたデータ センターは、シリコン ベースのソリューションのみを使用しているデータ センターよりも、厳しいエネルギー効率基準を満たすのに適しています。

PSC1065K は、温度に依存しない容量性スイッチングとゼロ回復動作により、優れた性能指数 (QC x VF) を実現する最先端のパフォーマンスを提供します。 その優れたスイッチング性能は、電流やスイッチング速度の変動にほぼ完全に依存しません。 PSC1065K の結合型 PiN ショットキー (MPS) 構造は、追加の保護回路の必要性を排除するサージ電流に対する優れた堅牢性など、さらなる利点を提供します。 これらの機能により、システムの複雑さが大幅に軽減され、ハードウェア設計者は堅牢な高電力アプリケーションにおいて、より小さなフォームファクターでより高い効率を達成できるようになります。 設計者は、さまざまな半導体技術における高品質製品のサプライヤーとしての Nexperia の実績ある評判によってさらに安心することができます。

この SiC ショットキー ダイオードは、リアル 2 ピン (R2P) TO-220-2 スルーホール パワー プラスチック パッケージに封入されています。 追加のパッケージ オプションには、最大 175 °C の温度での高電圧アプリケーションの信頼性を向上させるリアル 2 ピン構成の表面実装 (DPAK R2P および D2PAK R2P) およびスルーホール (TO-247-2) が含まれます。

Nexperia の SiC 製品グループのシニア ディレクターである Katrin Feurle 氏は、次のように付け加えています。「当社は、現在利用可能なソリューションの中でトップクラスにランクされる高性能 SiC ショットキー ダイオードを提供できることを誇りに思っています。エネルギー意識がますます高まる世界において、当社は、大量生産、高効率アプリケーションの需要が大幅に増加するにつれ、市場への選択肢と可用性がさらに広がります。」

Nexperia は、6 ～ 20 A の範囲の電流で 650 V および 1200 V の電圧で動作する自動車グレードの部品を含めることにより、SiC ダイオードのポートフォリオを継続的に強化する予定です。 新しい SiC ダイオードのサンプルと量産は現在入手可能です。

Nexperia の新しい 650 V SiC ショットキー ダイオードの詳細については、www.nexperia.com/sic_diodes をご覧ください。

また、当社のブログ投稿「すべての SiC ショットキー ダイオードが同等に作られていない理由」および「炭化ケイ素ダイオードが他のシリコン ダイオードよりも優れている 8 つの理由」でさらに詳しく調べることもできます。

Nexperia の PSC1065K と既存の最上位 MPS および JBS の同等品との比較については、次のグラフを参照してください。• スイッチング動作• 力率改善 (PFC) トポロジの効率• 優れた性能指数

ネクスペリアについて

Nexperia は、世界中のあらゆる電子設計に必要なコンポーネントである必須半導体の大量生産の第一人者です。 同社の広範なポートフォリオには、ダイオード、バイポーラ トランジスタ、ESD 保護デバイス、MOSFET、GaN FET、アナログ & ロジック IC が含まれます。 オランダのナイメーヘンに本社を置く Nexperia は、自動車業界が設定した厳しい基準を満たし、年間 1,000 億以上の製品を出荷しています。 これらの製品は、貴重なエネルギーとスペースを節約する業界トップクラスの小型パッケージを備えており、プロセス、サイズ、電力、性能における効率のベンチマークとして認められています。